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J-GLOBAL ID：200903056934301049

低欠陥の大きな窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法

Inventor： ボンドコフ,ロバート,ティー ,  モーガン,ケネス ,  スラック,グレン,エー ,  ショウォルター,レオ,ジェイ
Applicant, Patent owner： クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008543389
Publication number (International publication number)：2009517329
Application date： Nov. 28, 2006
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

AlN中のマイクロボイド(MV)密度を低減することによって、結晶成長時のクラック生成、研磨時のエッチピット生成、AlNウェハ中の光学透過性の低減、並びに場合によってはAlN及び/又はGaNのエピタキシャル成長時の成長ピット密度に関連する多くの問題が排除される。これによって、実際の結晶製造上の方針、並びに低欠陥密度、例えば104cm-3を下回る転位密度及び104cm-3を下回るインクルージョン密度及び/又は104cm-3を下回るMV密度を有する大きなバルクAlN結晶を得ることが容易となる。

Claim (excerpt)：

単結晶AlNを成長させる方法であって、 a.結晶成長エンクロージャ中でAl及びN2を含む蒸気を供給し、 b.前記蒸気を、約104cm-3未満のマイクロボイド密度を有する単結晶AlNとして堆積させることを含む、方法。

IPC (1)：

C30B 29/38

FI (1)：

C30B29/38 C

F-Term (20)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EG25 ,  4G077EH09 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA07 ,  4G077SA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特許第6296956号
  
• 特許第6296956号
  
• III族窒化物膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-394093   Applicant：日本碍子株式会社
• 特許第6296956号