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J-GLOBAL ID：200903020819634013

III族窒化物膜の製造方法

Inventor：
柴田 智彦

About 柴田 智彦

, 
田中 光浩

About 田中 光浩

, 
浅井 圭一郎

About 浅井 圭一郎


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394093
Publication number (International publication number)：2003197541
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】III族窒化物膜中における欠陥の発生割合を減少させることが可能な、新規なIII族窒化物膜の製造方法、及びこれに用いることのできるエピタキシャル基板の製造方法を提供する。【解決手段】所定の単結晶材料からなる基材1上に、少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下のIII族窒化物下地膜2を形成する。次いで、下地膜2の主面2Aを還元性の窒素を含む雰囲気中で熱処理し、下地膜2の主面2A上の表面欠陥を除去する。次いで、下地膜2の主面2A上に、目的とするIII族窒化物膜3を形成する。
Claim (excerpt)：
所定の単結晶材料からなる基材上に、少なくともAlを含有し、X線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下のIII族窒化物下地膜を形成する工程と、前記III族窒化物下地膜の主面を還元性の窒素を含む雰囲気中で熱処理する工程と、前記III族窒化物下地膜の前記主面上において、III族窒化物膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 C
F-Term (29)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB06 ,  4G077EA01 ,  4G077EA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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