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J-GLOBAL ID:200903056995586860
電子装置およびその作製方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996205417
Publication number (International publication number):1998032202
Application date: Jul. 16, 1996
Publication date: Feb. 03, 1998
Summary:
【要約】【目的】 アルミニウムを配線に用いた装置において、ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。【構成】 アルミニウムゲイト106の上面に窒化珪素膜107を設け、側面に陽極酸化膜108、109を設ける。こうすることで、ヒロックやウィスカーの発生を抑制するとともに、コンタクトの形成し易い構造とする。また、アルミニウム中の酸素、炭素、窒素の濃度を所定の濃度以下とすることにより、ヒロックやウィスカーの発生を抑制する。
Claim (excerpt):
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とするパターンを有し、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜中における酸素原子の濃度が8×1018個cm-3以下であり、かつ炭素原子の濃度が5×1018個cm-3以下であり、かつ窒素原子の濃度が7×1017個cm-3以下であることを特徴とする電子装置。
IPC (4):
H01L 21/3205
, H01L 21/285
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (8):
H01L 21/88 N
, H01L 21/285 S
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 617 M
, H01L 29/78 617 W
, H01L 29/78 627 B
, H01L 29/78 627 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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特開平3-014227
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特開昭63-076321
-
特開平1-228175
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薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-012263
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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特開平3-014227
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特開昭63-076321
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特開平1-228175
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特開平3-014227
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特開昭63-076321
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特開平1-228175
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