Pat

J-GLOBAL ID：200903057055917520

ナノスケール導体アセンブリとその製造方法、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、及びディスプレイ装置

Inventor： クン ムーン チョイ ,  スンゴ ジン ,  グレゴリー ピー.コチャンスキー ,  ウィ チュー
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000216032
Publication number (International publication number)：2001057146
Application date： Jul. 17, 2000
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ナノ導体の電子放出特性を活用した電界放出装置を提供する。【解決手段】 ナノ導体を、一般的には、もつれた状態の、方向が一定しない、高アスペクト比の針金又は繊維の集合体30の状態で基板11上に堆積する。もつれた状態の集合体30は、電界放出中膜表面に垂直に加わる外部電界に晒される。構造物内の緩いナノ導体端10は、立ち上がり、電力線に沿って自己整列する傾向があるため、電界に晒された、整列したナノ導体端10が得られる。集合体30の一定しない、かつ、もつれた性質の故に、その密度は十分に低く、d/h>0.1の基準に合致する。同じ高さを持つ整列したナノ管端を作り出すために、高温のブレードやスペーサを使用して又はレーザビームを使用して端部を随意にトリミングすることにより、更に放出特性を最適化する。

Claim (excerpt)：

基板とこの基板に取り付けられた複数のナノスケール導体とを有し、前記ナノスケール導体が、基板表面から先端部まで伸び、1.0-100nmの範囲の直径と0.5-100μmの範囲の長さを持つ、ナノスケール導体アセンブリにおいて、隣接する前記ナノスケール導体の間の平均分離距離は、基板表面上の平均導体高さの少なくとも0.1倍であることを特徴とするナノスケール導体アセンブリ。

IPC (6)：

H01J 1/304 ,  B82B 1/00 ,  H01J 9/02 ,  H01J 23/06 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (6)：

H01J 1/30 F ,  B82B 1/00 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 23/06 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-305512   Applicant：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-161292   Applicant：キヤノン株式会社