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J-GLOBAL ID：200903057080630724

半導体装置

Inventor： 中崎 靖
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217855
Publication number (International publication number)：1997064181
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】低吸湿性、低比誘電率のF添加SiO2 膜を提供すること。【解決手段】SiO2 の網目構造を有するF添加SiO2 膜8において、網目構造の架橋に関与しない未結合手を有するOによる欠陥を低減する。

Claim (excerpt)：

導電層間を電気的に分離し、少なくともSi、Oを含み、SiO2 の網目構造を有する絶縁膜を備えた半導体装置であって、前記網目構造の架橋に関与しない未結合手を有するOによる欠陥、またはこの未結合手を有するOが電子もしくは正孔を捕獲することによる欠陥を低減したことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-164831   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-268730