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J-GLOBAL ID：200903057139160620

炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料

Inventor： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藤本 辰雄 ,  矢代 弘克
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001301935
Publication number (International publication number)：2003104798
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高抵抗率で高品質の大口径炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、その方法に用いる炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料、その方法より製造される炭化珪素単結晶を提供する。【解決手段】 昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、原料としてバナジウムの濃度が1×1018〜6×1019atom/cm3であり、バナジウム以外の不可避不純物の濃度が前記バナジウムの濃度未満である炭化珪素結晶を用いて、炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法、その方法に用いる炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料、その方法より製造される炭化珪素単結晶である。

Claim (excerpt)：

昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、原料としてバナジウムの濃度が1×1018〜6×1019atom/cm3であり、バナジウム以外の不可避不純物の濃度が前記バナジウムの濃度未満である炭化珪素結晶を用いて、炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

F-Term (6)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EB01 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 高低抗炭化ケイ素の製法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-505534   Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
• 高出力マイクロ波装置用高抵抗炭化珪素基板
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-532839   Applicant：ノースロップグラマンコーポレーション
• バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-620157   Applicant：クリーインコーポレイテッド

Cited by examiner (1)

• 高低抗炭化ケイ素の製法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-505534   Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.