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J-GLOBAL ID：200903057171338287

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
八木下 淳 史

About 八木下 淳 史


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (6)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  関根 毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004150519
Publication number (International publication number)：2005294789
Application date： May. 20, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：
【課題】 安定した駆動能力を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、一方側にソース領域が形成され、他方側にドレイン領域が形成された、Fin206と、ソース領域230とドレイン領域230との間におけるFin206上に、ゲート絶縁膜214を介して形成されたゲート電極218と、ゲート電極218の側壁部分の下側に形成された側壁部224と、ゲート電極218の側壁部分における側壁部224上に形成された側壁部222であって、側壁部224の部材に対して高い選択比を有する、側壁部222と、を有することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
凸状の第1の突部を形成する工程と、 前記第1の突部より高い位置に表面が位置するように、第1の膜を形成する工程と、 前記第1の膜上に、マスク部を形成する工程と、 前記マスク部をマスクとして用いて、前記第1の膜をエッチングする工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78
FI (7)：
H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 301X
F-Term (51)：
5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK40 ,  5F110HK50 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA05 ,  5F140AA39 ,  5F140AC36 ,  5F140BB05 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF41 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG53 ,  5F140BH01 ,  5F140BH06 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK12 ,  5F140BK18 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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