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J-GLOBAL ID：200903057192646666

アクティブマトリクス基板の製造方法

Inventor： 西 豊 ,  船井 尚 ,  井澤 秀雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992192500
Publication number (International publication number)：1994037315
Application date： Jul. 20, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】膜質がち密で、電気特性にも優れた絶縁膜を有するTFTの製造方法。【構成】透明絶縁性基板1上のシリコン薄膜2を覆うように、TEOSに酸化性ガスを供給し、光CVD法によりSiO2を堆積してゲート絶縁膜3を形成する。ゲート絶縁膜3上にゲート電極4を形成し、シリコン薄膜2に不純物をイオン注入し、コンタクト層5a、5bと半導体層5cとを形成する。層間絶縁膜6は、ゲート電極4およびゲート絶縁膜3を覆い、ゲート絶縁膜3と同様の方法で基板全体にわたって積層する。層間絶縁膜6およびゲート絶縁膜3を貫通し、ソース電極8とドレイン電極9を形成し、コンタクト層5a、5bに接続する。ITO膜を層間絶縁膜6の上に成膜し、絵素電極10をパターニングで形成し、ドレイン電極9と接続する。層間絶縁膜6の上の絶縁膜6’も層間絶縁膜6と同様の材料および方法により形成する。

Claim (excerpt)：

透明な絶縁性基板の上に、複数の信号配線と複数の走査配線が、両者の間に層間絶縁膜を挟んで互いに直交して配設され、隣接する各信号配線と各走査配線が囲むそれぞれの領域に、液晶を駆動する絵素電極と、該絵素電極を駆動するスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子が、絶縁膜を挟んで設けられた半導体層とゲート電極とを有する薄膜トランジスタから成る、アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絶縁膜が、アルコキシル基を有する有機シラン化合物を供給してCVD法で形成されるアクティブマトリクス基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-206968   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-133575
  
• 特開平4-110470
  
• 特開平1-035960