半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995006882
Publication number (International publication number)：1996204021
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、同一基板に形成した高耐圧,低耐圧トランジスタの高耐圧トランジスタの耐圧および電流駆動能力を十分に確保し、低耐圧トランジスタのショートチャネル効果を抑制するとともに、プロセスの簡単化を図る。【構成】異なる電源電圧によって駆動する高耐圧トランジスタ5,6 と低耐圧トランジスタ7,8 とを同一の半導体基板1上に形成したもので、高耐圧トランジスタ5,6 には電界緩和のためのオフセット拡散層52,53,62,63 が形成され、このオフセット拡散層52,53,62,63 の拡散層深さXj は2μm≦Xj ≦4μmの範囲内に設定されている半導体装置である。また高耐圧,低耐圧トランジスタの同一極性の各ソース・ドレイン拡散層は同等の拡散層深さに形成されている半導体装置である。

Claim (excerpt)：

異なる電源電圧によって駆動する高耐圧トランジスタと低耐圧トランジスタとを同一基板上に形成した半導体装置において、前記高耐圧トランジスタには電界緩和のためのオフセット拡散層が該高耐圧トランジスタのゲート電極の少なくともドレイン側における半導体基板に形成されていて、該オフセット拡散層の拡散層深さXj は2μm≦Xj ≦4μmの範囲内であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 27/08 102 B , H01L 21/76 M , H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平1-112773
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-119456 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-004668

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Cited by examiner (8)

特開平1-110760
特開平1-112773
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-308515 Applicant：富士電機株式会社

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