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J-GLOBAL ID：200903057227522418

半導体レーザ素子の検査方法

Inventor： 上田 禎亮 ,  辰巳 正毅
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004257167
Publication number (International publication number)：2006073877
Application date： Sep. 03, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】安定な光出力特性を有し、かつ、実際のピックアップに使用した場合に雑音発生を抑えることができる半導体レーザ素子を簡易に選別することができる半導体レーザ素子の検査方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の検査方法は、半導体レーザ素子の電流-光出力特性における変曲点での光出力値と、所定の基準値と比較することにより、素子の良否を判断することを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子の電流-光出力特性を測定し、 測定された電流-光出力特性における変曲点での光出力値と、所定の基準値と比較することにより、素子の良否を判断することを特徴とする半導体レーザ素子の検査方法。

IPC (1)：

H01S 5/00

FI (1)：

H01S5/00

F-Term (3)：

5F173ZP06 ,  5F173ZQ10 ,  5F173ZR02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-038561   Applicant：三洋電機株式会社