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J-GLOBAL ID：200903057230101385

軟磁性膜の交換バイアス膜合金及び磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド

Inventor： 小俣 雄二 ,  浅井 弘紀 ,  三舩 達雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993210165
Publication number (International publication number)：1995065328
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【構成】 PdとMnとを主たる成分として構成される合金薄膜で軟磁性薄膜と直接に接して積層させた構成をもたせることによって軟磁性薄膜に一方向磁気異方性を付加させることを特徴とする軟磁性膜の交換バイアス膜合金、およびこれを磁気抵抗膜の単磁区化に応用させて作成したMRヘッド。【効果】 軟磁性磁気抵抗膜の単磁区化が安定して図れ、バルクハウゼンノイズの無い高い出力をもった磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドを得る。

Claim (excerpt)：

少なくともPdとMnとを主たる成分として構成される合金薄膜であり、且つこれを軟磁性薄膜と直接に接して積層させた構成をもたせることによって軟磁性薄膜に一方向磁気異方性を付加させることを特徴とする軟磁性膜の交換バイアス膜合金。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 交換結合膜および磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-026775   Applicant：株式会社東芝