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J-GLOBAL ID：200903057259738811

シリコンウエーハの製造方法

Inventor： 白井 宏 ,  吉川 淳 ,  神足 由加里 ,  下井 規弘 ,  真田 昌之 ,  鳥觜 修治
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社 ,  新潟東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995090135
Publication number (International publication number)：1996264552
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低コストで高品質の表面仕上げが可能なシリコンウエーハの製造方法を提供する。【構成】 90μmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.08〜0.70nm、rmsが0.10〜0.90nm、P-Vが0.80〜5.80nmであり、500nmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.13〜0.40nm、rmsが0.18〜0.50nm、P-Vが1.30〜2.50nmであるシリコンウエーハを、1100〜1300°Cの温度範囲で30分以上4時間以内水素ガス雰囲気中でアニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

90μmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.08〜0.70nm、rmsが0.10〜0.90nm、P-Vが0.80〜5.80nmであり、500nmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.13〜0.40nm、rmsが0.18〜0.50nm、P-Vが1.30〜2.50nmであるシリコンウエーハを、1100〜1300°Cの温度範囲で30分以上4時間以内水素ガス雰囲気中でアニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体基材の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016524   Applicant：キヤノン株式会社