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J-GLOBAL ID：200903057287518860

窒化物系半導体素子およびその製造方法

Inventor：
狩野 隆司

About 狩野 隆司

, 
大保 広樹

About 大保 広樹


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000084592
Publication number (International publication number)：2001274096
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 格子欠陥が低減されて多くの素子特性を有するとともに低コストで製造が可能な半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子500の作製時には、サファイア基板1上にバッファ層2、第1のアンドープGaN層3、第1の超格子欠陥低減層30、第2のアンドープGaN層4、第2の超格子欠陥低減層40、第3のアンドープGaN層5、第3の超格子欠陥低減層50および第4のアンドープGaN層6を順に成長させ、この上に素子構造100を作製する。第1〜第3の超格子欠陥低減層30,40,50は、InGaN膜およびAlGaN膜がこの順で形成されて対になったものが5対積層されてなる。
Claim (excerpt)：
基板上にガリウムを含む第1のIII 族窒化物系半導体層が形成され、前記第1のIII 族窒化物系半導体層上に、超格子多層膜と第2のIII 族窒化物系半導体層とをこの順に含む1組以上の積層構造が形成され、前記積層構造上に素子領域を有する第3のIII 族窒化物系半導体層が形成され、前記超格子多層膜は少なくともインジウムおよびガリウムを含むIII 族窒化物系半導体からなり第1の格子定数を有する第1の膜と、少なくともアルミニウムおよびガリウムを含むIII 族窒化物系半導体からなり前記第1の格子定数と異なる第2の格子定数を有する第2の膜とがこの順で交互に積層されてなることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (23)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA62 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB09 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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