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J-GLOBAL ID：200903057306159191

半導体装置の製造方法

Inventor： 宮本 秀信
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 開口 宗昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997307696
Publication number (International publication number)：1999145278
Application date： Nov. 10, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 有機層間膜に微細なビアホールを形状よく形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明では半導体基板101上にメタル配線層102を形成する工程と,有機層間膜103を形成する工程と、プラズマ窒化膜105を形成する工程と、リソグラフィーを用いてメタル配線102に目合わせされたフォトレジストパターン106を形成する工程と、レジストパターン106をマスクとしてプラズマ酸化膜105を下層のプラズマ窒化膜104に対して選択的に異方性エッチングする工程と、レジストパターン剥離後、プラズマ酸化膜105をマスクとして下層のプラズマ窒化膜104を異方性エッチングする工程と、次にプラズマ酸化膜105、プラズマ窒化膜104をマスクとして有機層間膜103を異方性エッチングしてメタル配線層102に連通するビアホール107を形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にメタル配線層を形成するメタル配線層形成工程と、このメタル配線層を形成した半導体基板上の全面にわたって有機層間膜を形成する有機層間膜形成工程と、この有機層間膜上にプラズマ窒化膜を形成するプラズマ窒化膜形成工程と、このプラズマ窒化膜上に、プラズマ酸化膜を形成するプラズマ酸化膜形成工程と、このプラズマ酸化膜上に、前記メタル配線層と目合わせされたビアホールを形成するためのレジストパターンを形成するリソグラフィー工程と、このレジストパターンをマスクにして、前記プラズマ酸化膜をプラズマ窒化膜に対して選択的に異方性エッチングするプラズマ酸化膜エッチング工程と、このプラズマ酸化膜をマスクにして、レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離工程と、このレジストパターン剥離後に、プラズマ酸化膜をマスクにしてプラズマ窒化膜を異方性エッチングするプラズマ窒化膜エッチング工程と、前記プラズマ酸化膜及びプラズマ窒化膜をマスクにして、有機層間膜を異方性エッチングし、前記メタル配線層に連通するビアホールを形成する有機層間膜エッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-244020   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-203240