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J-GLOBAL ID：200903057327974260

ZnO系半導体素子

Inventor： 中原 健 ,  湯地 洋行 ,  田村 謙太郎 ,  赤坂 俊輔 ,  川崎 雅司 ,  塚崎 敦 ,  大友 明
Applicant, Patent owner： ローム株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006160273
Publication number (International publication number)：2007329353
Application date： Jun. 08, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】積層側の主面がc軸方向を向いているMgZnO基板上に平坦なZnO系半導体層を成長させることができるZnO系半導体素子を提供する。【解決手段】+C面(0001)が少なくともm軸方向に傾斜した面を主面とするMgxZn1-xO(0≦x<1)基板1上に、ZnO系半導体層2〜6がエピタキシャル成長されている。そして、ZnO系半導体層6上にはp電極10が、MgxZn1-xO基板1の下側にはn電極9が形成されている。このようにして、MgxZn1-xO基板1の表面に、m軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板1上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

主面がC面を有するMgxZn1-xO(0≦x<1)基板において、c軸が少なくともm軸方向にΦm度傾斜し、前記Φmは 0<Φm≦3の条件を満たすものであって、前記主面にZnO系半導体層を形成したことを特徴とするZnO系半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/363

FI (2)：

H01L33/00 D ,  H01L21/363

F-Term (13)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103LL09 ,  5F103NN10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ZnO系半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-059025   Applicant：ローム株式会社