Pat
J-GLOBAL ID：200903082317291339

ZnO系半導体素子

Inventor：
中原 健

About 中原 健


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (2)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004059025
Publication number (International publication number)：2004304166
Application date： Mar. 03, 2004
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：
【課題】 安定したP型ZnO層を備えたZnO系半導体素子を提供するため、ZnO薄膜中に高濃度で窒素原子をドーピングする。安定なP型ZnO層の作製により、作製が容易なN型ZnO層との組合せ或いは異なる組成のP型層若しくはN型層との組合せを可能とし、さまざまな形態のZnO系半導体素子を提供する。【解決手段】本発明に係るZnO系半導体素子は、N型層とP型層を各々1層以上有する半導体素子において、前記P型層のうち少なくとも1層は窒素原子をドープしたZn極性ZnO系半導体薄膜で形成し、該Zn極性ZnO系半導体薄膜は薄膜成長方向がZn極性方向([0001])であることを特徴とする。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
N型層とP型層を各々1層以上有する半導体素子において、前記P型層のうち少なくとも1層は窒素原子をドープしたZn極性ZnO系半導体薄膜で形成し、該Zn極性ZnO系半導体薄膜は薄膜成長方向がZn極性方向([0001])であることを特徴とするZnO系半導体素子。
IPC (3)：
H01L21/363 ,  H01L33/00 ,  H01S5/327
FI (3)：
H01L21/363 ,  H01L33/00 D ,  H01S5/327
F-Term (19)：
5F041CA03 ,  5F041CA41 ,  5F041CA55 ,  5F041CA66 ,  5F073CA22 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103AA10 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103NN01 ,  5F103NN10 ,  5F103RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-311904   Applicant：株式会社リコー
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM