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J-GLOBAL ID：200903057438133515

改善されたダイヤモンド薄膜エミッタを用いた電界放射デバイス

Inventor： サンゴー ジン ,  グレゴリー ピーター コチャンスキー ,  ローレンス シーブルズ ,  ウエイ ヅー
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995282316
Publication number (International publication number)：1996225393
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 本発明は改善されたダイヤモンド電界エミッタを用いた電界放射デバイスを提供する。【解決手段】 出願人は低電圧放射特性を本質的に改善したダイヤモンドの作製、処理及び使用方法を発見した。具体的には、出願人は高欠陥密度ダイヤモンド、すなわち欠陥密度を高めるよう成長又は処理したダイヤモンドは、低電圧放射特性が改善されることを発見した。高欠陥密度ダイヤモンドは、半値幅ΔKが5-15cm-1(好ましくは7-11cm-1)に広がったラマンスペクトル中の1332cm-1におけるダイヤモンド・ピークを特徴とする。そのような高欠陥密度ダイヤモンドは、25V/μm又はそれ以下の低印加電界において、0.1mA/mm2 の電子電流密度を放射できる。特に有利な構造は、15V/μm又はそれ以下の電界において、それぞれが直径10μm以下である島又は粒子のアレイの形で、そのようなダイヤモンドを用いる。

Claim (excerpt)：

基板;前記基板上に配置され、半値幅が5-15cm-1に広がったラマンスペクトル中の1332cm-1におけるダイヤモンド・ピークをもち、25V/μm又はそれ以下の印加電界において、少なくとも0.1mA/mm2 の電流密度で、電子を放射することを特徴とするダイヤモンド材料;及び電界エミッタに電気的に接触する手段を含む低電圧において電子を放射するためのダイヤモンド電界エミッタ。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C30B 30/02 ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/04 A ,  C30B 30/02 ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 改善された電子放出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-023051   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 冷陰極エミツタ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-117521   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• ダイヤモンド繊維電界エミッター
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-521424   Applicant：イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー, ザ・リージエンツ・オブ・ザ・ユニバーシテイ・オブ・カリフオルニア