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J-GLOBAL ID：200903057452296419

NOxガス検知半導体およびその製造方法

Inventor： 中野 由崇
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994012873
Publication number (International publication number)：1995218460
Application date： Feb. 04, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 空気中での電気抵抗値が低く、NOX ガスを高感度に検出することができるNOX ガス検知半導体とすることを目的とする。【構成】 酸化第二錫および酸化亜鉛を主成分とし半導体中の酸化第二錫に対する酸化亜鉛の元素比(Zn/Sn)が1.8〜1.1の範囲にあるNOX ガス検知半導体。この半導体は非晶質に近い構造を有し、上記の組成にスッパタリングなどの蒸着で形成された後、600〜800°Cの温度範囲で熱処理されて製造される。この半導体を使用したNOX ガス検知素子は、電は抵抗値が低く高感度でNOX ガスを検知することができる。

Claim (excerpt)：

酸化第二錫および酸化亜鉛を主成分とし、該半導体中の酸化第二錫に対する酸化亜鉛の元素比(Zn/Sn)が1.8〜1.1の範囲にあることを特徴とするNOX ガス検知半導体。