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J-GLOBAL ID：200903057459246972

窒化ガリウム単結晶の成長方法

Inventor： 丸谷 幸利
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002015966
Publication number (International publication number)：2003212697
Application date： Jan. 24, 2002
Publication date： Jul. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】 各種デバイスの特性向上のため、結晶欠陥の少ない高品質の窒化ガリウム単結晶を作製可能な窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。【解決手段】 反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下、ガリウム源の分圧を3×10-4atm以下、成長温度950°C以上とし、〈000-1〉方向に成長させる。

Claim (excerpt)：

反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下で、上記ガリウム源の分圧を3×10-4atm以下、成長温度950°C以上とし、〈000-1〉方向に成長させる窒化ガリウム単結晶の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

F-Term (38)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB02 ,  5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-505658   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

Cited by examiner (1)

• オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-505658   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド