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J-GLOBAL ID：200903007827936995

オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法

Inventor： フリン,ジェフリー,エス. ,  ブランデス,ジョージ,アール ,  バウド,ロバート,ピー. ,  ケオグ,デービッド,エム. ,  ク,クエピング ,  ランディニ,バーバラ,イー.
Applicant, Patent owner： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002505658
Publication number (International publication number)：2004502298
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

例えば、自立性のIII-V族窒化物基板上のIII-V族窒化物ホモエピタキシャルエピ層を備える、III-V族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造を記述する。III族源物質と窒素源物質を使用し、V/III比が約1〜約105の範囲、窒素源物質分圧が約1〜約103Torrの範囲、成長温度が約500〜約1250°Cの範囲、成長速度が約0.1ミクロン/時〜約500ミクロン/時の範囲のプロセス条件下、VPE法でIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させることによって、対応するIII-V族窒化物基板上にIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法を含め、さまざまなプロセシング技術が開示されている。III-V族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造体は、UV LED、高電子移動トランジスタなどのデバイス用途に、有用に利用可能である。

Claim (excerpt)：

対応するIII-V族窒化物基板上にIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法であって、III族源物質と窒素源物質を使用し、V/III比が約1〜約105の範囲、窒素源物質分圧が約1〜約103Torrの範囲、成長温度が約500〜約1250°Cの範囲、成長速度が約0.1ミクロン/時〜約500ミクロン/時の範囲の堆積条件下、VPE法によりIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させる堆積工程を備える方法。

IPC (7)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

FI (6)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 C ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H

F-Term (71)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077EE03 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA73 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045EE12 ,  5F045HA02 ,  5F045HA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平2-267935
  
• 特開昭62-272541
  
• 窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-252664   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-248709   Applicant：ソニー株式会社
• エッチングマスクおよびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-215820   Applicant：ソニー株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-337797   Applicant：住友電気工業株式会社
• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-235336   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• GaN homoepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition