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J-GLOBAL ID：200903057474224870
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308043
Publication number (International publication number)：1995162003
Application date： Dec. 08, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 移動度が大きく、off抵抗の大きいTFTの供給。【構成】 シリコン半導体層を、SiH4 とSiF4 の流量比を変化させて形成するTFT製造方法。【効果】 移動度が大きく、off抵抗の大きいTFTを供給できる。
Claim (excerpt)：
薄膜シリコンを半導体層として用いる薄膜トランジスタの製造方法において、基板上にシリコン半導体層を形成するに際し、前記半導体層のうちゲート電極側の第1半導体層としてSiF4 とSiH4 とを含むガス雰囲気下でプラズマCVD法を用いて結晶性シリコンを形成し、前記半導体層のゲート電極とは反対側の第2半導体層として、前記第1半導体層を形成する際のガス雰囲気に比べてSiH4 に対するSiF4 の割合を小さくしたガス雰囲気下でプラズマCVD法により非晶質シリコンを形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 29/786
, C23C 16/24
, C23C 16/50
, H01L 21/205
