金属膜のエッチング方法及びそのエッチング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996072744
Publication number (International publication number)：1997266195
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】金属膜の下層に損傷を発生することなく、かつ金属膜のエッチング終了時点を確実に検出することができる。【解決手段】ガス導入管10を流れる反応性ガスはCF4ガスとCl2ガスとO2ガスとの混合ガスからなり、プラズマ発生装置12によってプラズマ化されて、真空容器7に流入する。プラズマ化された反応性ガスは、載置台8上のシリコン基板1の金属膜と反応しエッチングを行う。このエッチング時に真空容器7内に発光が生じる。この発光の量は、シリコン基板1の金属膜の表面積に関連する。光電変換器17は真空容器1内の発光量を検出し、制御装置19はこの検出出力の変化に基づきエッチング終了時点を判別する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に層間絶縁膜を形成する工程と、エッチングによって上記層間絶縁膜に接続孔を形成する工程と、上記層間絶縁膜と上記接続孔とに金属膜を形成する工程と、上記接続孔以外に位置する上記金属膜をエッチングする工程とを具備する半導体基板の多層配線方法において、上記金属膜のエッチング工程は、反応性ガスとしてフッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスと酸素ガスとの混合ガスを使用し、エッチング時に生じる発光の量を検出して上記発光量の変化に基づき上記金属膜のエッチング終了時点を判別することを特徴とする金属膜のエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/28 , H01L 21/3213

FI (5)：

H01L 21/302 E , C23F 4/00 F , C23F 4/00 E , H01L 21/28 F , H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

タングステンのエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-355214 Applicant：新日本製鐵株式会社
エッチング終点検出方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-166676 Applicant：株式会社芝浦製作所

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