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J-GLOBAL ID:200903057510072275

投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998040120
Publication number (International publication number):1999238484
Application date: Feb. 23, 1998
Publication date: Aug. 31, 1999
Summary:
【要約】【課題】本発明はスループットを高めるのに適した投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システムを提供する。【解決手段】電子銃212から放出される照射電子ビーム216はエネルギーフィルター207で偏向され、第1投射レンズ205と対物レンズ203を通り、試料201を照射し、2次電子を発生させる。試料に印加された負電圧により加速された2次電子ビーム218は対物レンズ203と第1投射レンズ205を通過し、エネルキーフィルター207により偏向を受け、エネルギー分散される。選択された特定のエネルギーを持つ2次電子だけがエネルギー選別絞り208を通過し、さらに第2投射レンズ209を通り、撮像装置210に2次電子の投射像を形成する。図2の電子光学系は半導体基板の寸法評価や検査のために用いられる。
Claim (excerpt):
基板を照射ビームで照射する照射手段と、その照射によって前記基板の表面から発生する荷電粒子を投射し結像する投射結像手段と、その結像された荷電粒子像を撮像する撮像手段と、前記基板を保持してX及びY方向に移動させる、位置制御される試料ステージとを具備することを特徴とする投射方式の荷電粒子顕微鏡。
IPC (7):
H01J 37/26 ,  G01N 23/20 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/05 ,  H01J 37/20 ,  H01J 49/46 ,  H01L 21/66
FI (7):
H01J 37/26 ,  G01N 23/20 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/05 ,  H01J 37/20 A ,  H01J 49/46 ,  H01L 21/66 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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