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J-GLOBAL ID：200903057532625839
電子放出源の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994043751
Publication number (International publication number)：1995254358
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 各マイクロチップをその高さが丁度ゲートラインの厚み方向の幅の中央に位置するように形成し、各マイクロチップからの電子放出を均質化して電子放出特性の優れた電子放出源を作製する。【構成】 各微孔18に対してカソード導体13と垂直にマイクロチップ16の材料を蒸着し、その後蒸着部23上の微孔24に対して斜方向から回転蒸着し、再び上記垂直蒸着を行うことで、段差を有する円錐体形状のマイクロチップ16を作製する。
Claim (excerpt)：
基板上に互いに直交する複数本の帯状のカソードラインとゲートラインと絶縁層を介して積層形成し、これらカソードラインとゲートラインとの各交差領域にゲートラインと絶縁層を貫通する略々円形の微細孔を形成する第1の工程と、ゲートライン上に剥離材を基板に対して斜方向から蒸着することにより剥離層を成膜する第2の工程と、カソード材を基板に対して斜方向及び垂直方向から蒸着し、上記各微細孔内のカソードライン上に略々円錐形状の微小冷陰極を形成する第3の工程と、ゲートライン上に蒸着されたカソード材を剥離層と共に剥離し除去する第4の工程とを有することを特徴とする電子放出源の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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