半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：堀城之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997138989
Publication number (International publication number)：1998335442
Application date： May. 28, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】工数の増加や、素子の設計の変更に伴う最適化のための多大な労力なしで、ゲート電極下部の素子領域端の寄生チャネルの形成を防止し、OFF状態でのリーク電流を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】素子領域50と素子分離領域58との境界に、窒素を含む酸化シリコン膜68が存在する構成を採用した。製造方法では、半導体基板60表面の素子領域50を形成する部分にマスク材となる窒化シリコン膜とレジスト膜を形成し、これらマスク材を用いて半導体基板60をエッチングして素子分離領域となる溝部を形成した後、溝部に窒素を含む酸化シリコン膜68を形成して、溝部を絶縁膜にて埋める。

Claim (excerpt)：

素子領域と素子分離領域との境界に、窒素を含む酸化シリコン膜が存在することを特徴とする、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/76 , H01L 21/318 , H01L 21/762

FI (3)：

H01L 21/76 L , H01L 21/318 C , H01L 21/76 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-249324
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-170428 Applicant：富士通株式会社
トレンチ素子分離構造およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124576 Applicant：ソニー株式会社

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