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J-GLOBAL ID：200903057583287172

エレクトロルミネッセンス素子

Inventor：
ブラッフズ、ジェレミー、ヘンリー

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フレンド、リチャード、ヘンリー

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ブライト、クリストファー、ジョーン

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レイシー、デイビッド、ジョーン

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デヴィン、ピーター

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Applicant, Patent owner：
ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド

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Agent (1)： 千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000537271
Publication number (International publication number)：2002507825
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Mar. 12, 2002
Summary：
【要約】エレクトロルミネッセンス素子は、正電荷キャリアを注入するための第1電荷キャリア注入層と、負電荷キャリアを注入するための第2電荷キャリア注入層と、電荷キャリア注入層の間に位置するとともに、第1電荷キャリア注入層から正電荷キャリアを受け取る第1成分、第2電荷キャリア注入層から負電荷キャリアを受け取る第2成分、および第1および第2成分からの電荷キャリアが結合することにより光を発生する有機発光成分である第3成分の混合物を含有する発光層とを備える。第1、第2および第3成分の少なくとも1つは、他の第1、第2および第3成分とタイプIIの半導体界面を形成する。
Claim (excerpt)：
正電荷キャリアを注入するための第1電荷キャリア注入層と、 負電荷キャリアを注入するための第2電荷キャリア注入層と、 電荷キャリア注入層の間に位置するとともに、 第1電荷キャリア注入層から正電荷キャリアを受け取る第1成分と、第2電荷キャリア注入層から負電荷キャリアを受け取る第2成分と、第1および第2成分からの電荷キャリアが結合することにより光を発生する有機発光成分である第3成分との混合物を含有する発光層と、 を備え、 第1、第2および第3成分の少なくとも1つが他の第1、第2および第3成分とタイプIIの半導体界面を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (4)：
H05B 33/14 ,  C09K 11/06 602 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22
FI (5)：
H05B 33/14 B ,  C09K 11/06 602 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 D
F-Term (10)：
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007DC05 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (29)
  • 特開平4-212286
  • 特開平4-212286
  • 特開平4-212286
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