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J-GLOBAL ID：200903057616013103
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995170303
Publication number (International publication number)：1996339981
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】 研磨剤に金属不純物を含まないイオン水を使用して金属汚染を減少させると共に研磨レートを制御することができる半導体装置の製造方法及び金属汚染の少ない半導体製造装置を提供する。【構成】 トップリング50により保持された半導体ウェーハ(図示せず)のポリッシング処理において、研磨剤とともに金属不純物を含まないアルカリイオン水又は酸性イオン水を半導体ウェーハのポリッシングに使用する。研磨布19に研磨剤を注入するパイプ51とイオン水を注入するパイプ52とを設ける。金属不純物を含まないイオン水を使用することによって研磨剤をアルカリ性又は酸性に維持することができるので、ポリッシング時に金属汚染を減少させることができると共にポリッシングレートを制御することが可能になる。また、イオン水はポリッシングしたあとの半導体ウェーハの表面を安定化させることができる。
Claim (excerpt)：
純水又は超純水の電気分解により生成したイオン水と、研磨粒子を含む研磨剤とを研磨布に供給しながら、この研磨布を用いて半導体ウェーハのポリッシングされる膜を有する主面をポリッシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 P
Cited by applicant (3)
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研磨剤組成物及びそれを用いる研磨方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-204478
Applicant：キヤノン株式会社
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半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-275802
Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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特開昭60-108260
Cited by examiner (3)
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研磨剤組成物及びそれを用いる研磨方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-204478
Applicant：キヤノン株式会社
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半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-275802
Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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特開昭60-108260
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