プラズマCVD装置とそのクリーニング方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994115370
Publication number (International publication number)：1995321054
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】装置のクリーニング時に上部電極及びそのガス分散孔への生成物の付着,成長を防止できるプラズマCVD装置を得ること。【構成】真空容器1内のガス導入口3に位置して導入ガスを分散するガス分散孔9bを有しかつ高周波電圧の印加電極を形成する上部電極9と、該上部電極9と対向してウエハが載置できるよう平行配置されグランドに接地してなる下部電極5とを備え、両電極間にプラズマを発生させるプラズマCVD装置において、上部電極9はその内部に絶縁部材10からなる冷却流路9aを備えている。

Claim (excerpt)：

真空容器内のガス導入口に位置して導入ガスを分散するガス分散孔を有しかつ高周波電圧の印加電極を形成する上部電極と、該上部電極と対向してウエハが載置できるよう平行配置されグランドに接地してなる下部電極とを備え、上記両電極間にプラズマを発生させるプラズマCVD装置において、上記上部電極はその内部に絶縁部材からなる冷却流路を備えていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭64-087773
特開平1-227438
シリコン酸化膜の成膜方法およびCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-217037 Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所

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