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J-GLOBAL ID：200903057760361531

銅スパッタリングターゲット及び銅スパッタリングターゲットの形成方法

Inventor： シーガル,ブラディミール ,  ウーウェン,イー ,  フェラッセ,ステファン ,  ウー,チ・ツェ ,  ストロザーズ,スーザン・ディー ,  アルフォード,フランク・エイ ,  ウィルレット,ウィリアム・ビー
Applicant, Patent owner： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005505599
Publication number (International publication number)：2005533187
Application date： Jul. 14, 2003
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

本発明は、銅を含むスパッタリングターゲットを含む。本ターゲットは、モノリシックであるかまたは接合されており、重量で少なくとも99.99%の銅を含み、1ミクロン〜50ミクロンの平均結晶粒度を有する。銅を含むターゲットは、約15ksi以上の降伏強さ及び約40を超えるブリネル硬さ(HB)を有する。本発明は、重量で約99.99%以下の銅及び少なくとも100ppm及び10重量%未満の全量の合金元素(単数種または複数種)から本質的になる銅合金モノリシック及び接合スパッタリングターゲットを含む。本ターゲットは、1ミクロン未満〜50ミクロンの平均結晶粒度を有し、ターゲット全体にわたって約15%未満の標準偏差(1-シグマ)の結晶粒度不均一性を有する。本発明はさらに、接合並びにモノリシック銅及び銅合金ターゲットの製造方法を含む。

Claim (excerpt)：

重量で少なくとも99.99%の銅と; 少なくとも1ミクロン〜約50ミクロン以下の平均結晶粒度と; を含み、約15ksi以上の降伏強さを有する、銅を含むスパッタリングターゲット。

IPC (9)：

C23C14/34 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 ,  H01L21/285

FI (9)：

C23C14/34 A ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 B ,  H01L21/285 S

F-Term (17)：

4E087BA07 ,  4E087BA14 ,  4E087CA01 ,  4E087CA22 ,  4E087CB01 ,  4E087CB03 ,  4E087DB14 ,  4K029AA06 ,  4K029BA08 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 銅スパッタ・ターゲットの製造方法および銅スパッタ・ターゲットと裏当て板の組立体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-204820   Applicant：プラックセアーエス.ティ.テクノロジーインコーポレイテッド
• スパッタ堆積のための改善された銅ターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-121779   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 銅スパッターターゲットの加工及び結合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-368362   Applicant：プラクスエアーエスティーテクノロジーインコーポレーテッド