Pat
J-GLOBAL ID：200903068133508324

銅スパッターターゲットの加工及び結合

Inventor：
ホルガー・ケニグズマン

About ホルガー・ケニグズマン

, 
アルフレッド・スノウマン

About アルフレッド・スノウマン

, 
シャイレッシュ・クルカルニ

About シャイレッシュ・クルカルニ


Applicant, Patent owner：
プラクスエアー エス ティー テクノロジー インコーポレーテッド

About プラクスエアー エス ティー テクノロジー インコーポレーテッド


Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001368362
Publication number (International publication number)：2002220659
Application date： Dec. 03, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 スパッターリングプロセスにおいて粒子発生を減少させかつ半導体デバイス及び回路の製造において使用される基材上でのフィルム均一性を高めるために、高純度の銅スパッターターゲットを加工する方法を提供する。【解決手段】 純度少なくとも99.99パーセントを有する銅ビレットを加熱して500°C以上にし;加熱された銅ビレットを熱間加工して40%以上の歪みを加え;熱間加工された銅ビレットを冷間圧延して4040%以上の歪みを加えかつ銅板を形成し;並びに銅板を250°Cを超える温度でアニールして等軸の粒子を有し、粒子は平均粒度が40μmよりも小さくかつ(111)、(200)、(220)及び(311)配向を有し、配向の各々を有する粒子の量は50パーセントよりも少ないターゲットブランクを形成する工程を含む銅スパッターターゲットの加工方法。
Claim (excerpt)：
下記:純度少なくとも99.99パーセントを有する銅ビレットを加熱して少なくとも500°Cにする工程;加熱された銅ビレットを熱間加工して少なくとも40パーセントの歪みを加える工程;熱間加工された銅ビレットを冷間圧延して少なくとも40パーセントの歪みを加えかつ銅板を形成する工程;並びに銅板を250°Cを超える温度でアニールして等軸の粒子を有し、粒子は平均粒度が40μmよりも小さくかつ(111)、(200)、(220)及び(311)配向を有し、配向の各々を有する粒子の量は50パーセントよりも少ないターゲットブランクを形成する工程を含む銅スパッターターゲットの加工方法。
IPC (10)：
C23C 14/34 ,  C22F 1/08 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 610 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 685 ,  C22F 1/00 686 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 694 ,  C22F 1/00
FI (10)：
C23C 14/34 A ,  C22F 1/08 A ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 610 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 685 Z ,  C22F 1/00 686 A ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 694 A ,  C22F 1/00 694 B
F-Term (4)：
4K029BA08 ,  4K029BD02 ,  4K029DC03 ,  4K029DC07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM