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J-GLOBAL ID：200903057788234209

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
竹村 千代子

About 竹村 千代子

, 
平井 桂

About 平井 桂


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008034496
Publication number (International publication number)：2009194208
Application date： Feb. 15, 2008
Publication date： Aug. 27, 2009
Summary：
【課題】ポリマー絶縁膜を用い、溶液プロセスが可能で簡易に塗布によって形成でき、且つ、フレキシブルな樹脂基板にも適性があり、ロールツウロールなどのプロセス適性を有する、フレキシブルな有機ポリマー材料を用いたゲート絶縁層を有する高移動度で、on/off特性に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】支持体6上にゲート電極5、ゲート絶縁層2、ソース電極3及びドレイン電極4、半導体層1を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層2がポリマー絶縁層2aとその上の無機膜2bからなり、前記無機膜2bに表面処理剤を用いて表面処理を施し、表面処理を施した無機膜2b上に半導体材料の溶液または分散液を用いて半導体層1を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
支持体上にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層がポリマー絶縁層とその上の無機膜からなり、前記無機膜に表面処理剤を用いて表面処理を施し、表面処理を施した無機膜上に半導体材料の溶液または分散液を用いて半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (5)：
H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H
F-Term (35)：
5F110AA05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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