有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三好秀和 , 伊藤正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005149630
Publication number (International publication number)：2006013468
Application date： May. 23, 2005
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】有機ゲート絶縁膜を具備して柔軟性を有しながらもしきい電圧が低く漏れ電流が少ない薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。有機薄膜トランジスタは基板と基板上に位置するゲート電極を具備する。ゲート電極上に無機ゲート絶縁膜と有機ゲート絶縁膜の積層構造を有するゲート絶縁膜が位置する。ゲート絶縁膜上にゲート電極と重なる有機半導体層が位置する。したがって、柔軟性を有すると同時に漏れ電流が低減されて、低いしきい電圧を有する有機薄膜トランジスタを具現することができる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置して、無機ゲート絶縁膜と有機ゲート絶縁膜の積層構造を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と重なる有機半導体層と、を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (6)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617W , H01L29/78 617M , H01L29/28

F-Term (34)：

5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF24 , 5F110FF25 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第5,347,144号

Cited by examiner (7)

有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-288538 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-553638 Applicant：アベシア・リミテッド
有機トランジスタ並びに有機電子デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-188190 Applicant：日本放送協会

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