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J-GLOBAL ID:200903057857129900

半導体発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 敬一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999161585
Publication number (International publication number):2000349347
Application date: Jun. 08, 1999
Publication date: Dec. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体発光装置の耐環境性及び耐紫外線性を改善する。【解決手段】 基体(11)と、基体(11)に固着された半導体発光素子(2)と、半導体発光素子(2)を被覆するコーティング材(10)とを半導体発光装置に設ける。光透過性を有するポリメタロキサン又はセラミックであるコーティング材(10)は、紫外線、近紫外線等の短波長の光が照射されても劣化しない。半導体発光素子(2)の底部に形成された一対の電極(2f, 2g)は、基体(11)に形成された一対の外部端子(3, 4)にそれぞれ電気的に接続されるので、半導体発光素子(2)から十分な量の光が外部に放出される。
Claim (excerpt):
基体と、該基体に固着された半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆するコーティング材とを備えた半導体発光装置において、前記コーティング材は、光透過性を有するポリメタロキサン又はセラミックであり、前記半導体発光素子の底部に形成された一対の電極は、前記基体に形成された一対の外部端子にそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする半導体発光装置。
FI (2):
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 E
F-Term (9):
5F041AA09 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA16 ,  5F041DA20 ,  5F041DA25 ,  5F041DA43 ,  5F041DA46 ,  5F041DA55
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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