Pat
J-GLOBAL ID:200903057889310500
充電システム
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小玉 秀男 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002084382
Publication number (International publication number):2003284254
Application date: Mar. 25, 2002
Publication date: Oct. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 二次電池のメモリー効果による充電容量減少に対応できる充電システムを提供する。【解決手段】 この充電システムは、二次電池50と、充電器10と、アダプタ30とを有する。二次電池50はリフレッシュ処理の要否を示すフラグを記憶するメモリ回路61を有する。充電器10は二次電池を直接装着又はアダプタを介して装着可能であって、二次電池を充電する充電回路22を有する。アダプタ30は二次電池50と充電器10の間に介装され、二次電池50を放電する放電回路42と、二次電池50を放電回路42又は充電器10の充電回路22に選択的に接続する切替回路48とを有する。そして、アダプタ30には、二次電池50がアダプタ30を介して充電器10に装着されたときに、二次電池50のメモリ回路61に記憶されているフラグに基づいて切替回路48を制御する制御回路41が設けられている。
Claim (excerpt):
二次電池と、充電器と、アダプタとを有する充電システムであって、二次電池は、リフレッシュ処理の要否を示すフラグを記憶するメモリ回路を有し、充電器は、二次電池を直接装着又はアダプタを介して装着可能であって、二次電池を充電する充電回路を有し、アダプタは、二次電池と充電器の間に介装され、二次電池を放電する放電回路と、二次電池を放電回路又は充電器の充電回路に選択的に接続する切替回路とを有し、充電器又はアダプタには、二次電池がアダプタを介して充電器に装着されたときに、二次電池のメモリ回路に記憶されているフラグに基づいて切替回路を制御する制御回路が設けられていることを特徴とする充電システム。
IPC (2):
FI (2):
H02J 7/04 B
, H01M 10/44 P
F-Term (16):
5G003AA01
, 5G003BA02
, 5G003CA11
, 5G003CB01
, 5G003CB08
, 5G003EA02
, 5G003FA01
, 5G003FA07
, 5G003GC05
, 5H030AA03
, 5H030AA06
, 5H030AS11
, 5H030BB18
, 5H030BB21
, 5H030DD05
, 5H030FF51
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
アダプタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-046859
Applicant:株式会社マキタ
-
充電システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-093839
Applicant:キヤノン株式会社
-
放電機能付き二次電池充電装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-150379
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立画像情報システム
-
充電装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-178200
Applicant:株式会社マキタ
-
充電器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-286369
Applicant:松下電器産業株式会社
Show all
Cited by examiner (2)
-
アダプタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-046859
Applicant:株式会社マキタ
-
充電システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-093839
Applicant:キヤノン株式会社
Return to Previous Page