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J-GLOBAL ID:200903057890530629

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998344735
Publication number (International publication number):1999260597
Application date: Dec. 03, 1998
Publication date: Sep. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】 熱的損傷やストリーマー放電による損傷を少なくして被処理物をプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 外側電極1を備えた筒状の反応管2、及び反応管2の内部に配置される内側電極3を具備して構成される。反応管2に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極1と内側電極3の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管2の内部にグロー放電を発生させる。反応管2からプラズマジェット65を吹き出すようにするプラズマ処理装置に関する。外側電極1と内側電極3に冷却手段を設ける。大気圧下で周波数の高い交流でプラズマを生成しても、外側電極1あるいは内側電極3の温度上昇を抑えることができる。均質なグロー放電を生成してストリーマー放電の生成を抑えることができる。
Claim (excerpt):
外側電極を備えた筒状の反応管、及び反応管の内部に配置される内側電極を具備して構成され、反応管に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極と内側電極の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管の内部にグロー放電を発生させ、反応管からプラズマジェットを吹き出すようにするプラズマ処理装置において、外側電極と内側電極に冷却手段を設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
H05H 1/52 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645 ,  H05H 1/24
FI (6):
H05H 1/52 ,  C23C 16/50 F ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 645 C ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/302 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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