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J-GLOBAL ID：200903057945562614

ボロンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法

Inventor：
玉塚 正郎

About 玉塚 正郎

, 
相原 健

About 相原 健

, 
三木 克彦

About 三木 克彦


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998260843
Publication number (International publication number)：2000072595
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高ボロンドープシリコンウエーハであって、酸素濃度が低くてもゲッタリング能力が高い高ボロンドープシリコンウエーハ及び該ウエーハを基板ウエーハに用いて成長されたエピタキシャルウエーハを提供する。【解決手段】 抵抗率が10mΩ・cm以上100mΩ・cm以下のボロンドープシリコンウエーハであって、該ボロンドープシリコンウエーハは、チョクラルスキー法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得られたものであることを特徴とするボロンドープシリコンウエーハ。および該ウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウエーハ。およびそれらを製造する方法。
Claim (excerpt)：
抵抗率が10mΩ・cm以上100mΩ・cm以下のボロンドープシリコン単結晶ウエーハであって、該ボロンドープシリコン単結晶ウエーハ中の酸素濃度が16ppma以下であり、且つ析出熱処理後の酸素析出物または酸化誘起積層欠陥密度が1×109 個/cm3 以上であることを特徴とするボロンドープシリコン単結晶ウエーハ。
IPC (3)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/20
FI (3)：
C30B 29/06 502 Z ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/20
F-Term (15)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EB01 ,  4G077EB04 ,  4G077EH05 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ06 ,  4G077GA07 ,  4G077HA12 ,  5F052EA15 ,  5F052HA07 ,  5F052KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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