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J-GLOBAL ID：200903054835865418
シリコン半導体基板及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084916
Publication number (International publication number)：2000109396
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 エピタキシャル層内及びエピタキシャル層とサブストレートウェハの界面付近の欠陥発生が極めて少なく、デバイス製造熱処理工程を経てもエピタキシャル層への結晶欠陥の発生を防止し、又、ウェハ内部析出物が十分あるためデバイスプロセス熱処理におけるゲッタリング能力に優れたシリコン半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 特定の窒素濃度や欠陥密度を含有するシリコンウェハをサブストレートウェハとし、 その表面にエピタキシャル層を堆積してなるシリコン半導体基板とすることにより、上記目的を達成できる。このシリコン半導体基板は、CZ法により窒素濃度や結晶育成中の温度履歴を制御して育成した単結晶をウェハ加工し、さらにエピタキシャル層を堆積成長することで製造できる。
Claim (excerpt)：
窒素含有量が1.0×1013atoms/cm3 以上1.0×1016atoms/cm3 以下であるシリコンウェハをサブストレートウェハとしその表面に、エピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積してなることを特徴とするシリコン半導体基板。
IPC (4)：
C30B 29/06
, C30B 29/06 502
, H01L 21/20
, H01L 21/322
C30B 29/06 A
, C30B 29/06 502 H
, H01L 21/20
, H01L 21/322 Y
Cited by examiner (5)
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