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J-GLOBAL ID:200903057955096808

導電性積層膜およびその形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大島 正孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004017238
Publication number (International publication number):2005206925
Application date: Jan. 26, 2004
Publication date: Aug. 04, 2005
Summary:
【課題】 多くの電子デバイスの配線や電極に容易かつ安価に使用できる導電性積層膜、その形成法、それを用いた配線および電極を提供すること。【解決手段】 金属アルミニウム膜とモリブデン、タングステンおよびタンタルよりなる群から選ばれる金属と炭素を含有する導電性膜を積層してなる導電性積層膜、およびそれからなる電子デバイスの電極または配線。この導電性積層膜は、モリブデン、タングステンおよびタンタルよりなる群から選ばれる金属の有機金属錯体を基体上に塗布し次いで熱処理することにより導電性膜を形成し、そして該導電性膜上にアミン化合物とアランとの錯体を塗布し次いで熱および/または光処理して金属アルミニウム膜を形成される。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
金属アルミニウム膜ならびにモリブデン、タングステンおよびタンタルよりなる群から選ばれる金属を含有する導電性膜が積層されてなる導電性積層膜。
IPC (5):
C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/14 ,  C23C18/52 ,  H01L21/288
FI (5):
C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/14 ,  C23C18/52 B ,  H01L21/288 Z
F-Term (23):
4K022AA05 ,  4K022AA31 ,  4K022AA41 ,  4K022BA02 ,  4K022BA05 ,  4K022BA12 ,  4K022BA23 ,  4K022BA24 ,  4K022BA36 ,  4K022DA06 ,  4K022DA08 ,  4K022DB01 ,  4K022DB04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB34 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF17 ,  4M104HH04 ,  4M104HH08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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