半導体製造用耐食性部材

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996155798
Publication number (International publication number)：1998004083
Application date： Jun. 17, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】SiO2 、Al2 O3 、AlN等よりも優れた耐食性を有する耐食性部材を提供する。【解決手段】半導体製造時に使用されるプラズマ処理装置やエッチング装置におけるSiウエハ固定用のクランプリングや上部電極周りのシールドリング、装置内壁材などの、SF6 、CF4 、CHF3 、ClF3 、HF等のフッ素系腐食ガスまたはそのプラズマに曝される部位を、Sc、La,Ce、Eu、Dy等の周期律表第3a族元素の酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物などの化合物の薄膜や単結晶等によって形成する。

Claim (excerpt)：

フッ素系腐蝕ガスあるいはそのプラズマに曝される部位が、周期律表第3a族元素化合物からなることを特徴とする半導体製造用耐食性部材。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C01B 21/06 , H01L 21/205 , H01L 21/68 , C23C 16/44

FI (5)：

H01L 21/302 B , C01B 21/06 A , H01L 21/205 , H01L 21/68 N , C23C 16/44 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-191379
工程の安定性を得るために温度制御を行うホット・ウォール反応性イオン・エッチング
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-048395 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
高圧放電ランプ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-222412 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

Show all

Return to Previous Page