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J-GLOBAL ID：200903057996296412

ウェハ研磨装置

Inventor：
潮 嘉次郎

About 潮 嘉次郎


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997193995
Publication number (International publication number)：1999033901
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Feb. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子が形成されたウェハの、層間絶縁層又は金属電極膜の少なくとも一部を研磨により取り除く際に、研磨量又は研磨終了点を、精度よく、簡便に、研磨中あるいは研磨後に検知することができるウェハ研磨装置を提供する。【解決手段】 照射光源6から照射された光は、石英透光窓5を通してウエハ1表面に投射される。ウエハ1からの反射光は、光学系により分光処理され、パーソナルコンピュータ7によりデータ処理される。パーソナルコンピュータ7は、ウェハ表面から反射されたプローブ光の波長依存性(分光反射率)の変化により研磨量又は研磨終了点を検知する。
Claim (excerpt)：
半導体素子が形成されたウェハ中の層間絶縁層又は金属電極膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨装置であって、半導体素子が形成されたウェハ研磨面の一部または全部にプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の波長依存性(分光反射率又は分光透過率)の変化により研磨量又は研磨終了点を検知する検知部を有してなることを特徴とするウェハ研磨装置。
IPC (2)：
B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321
FI (2)：
B24B 37/04 D ,  H01L 21/304 321 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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