半導体デバイス故障解析装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002030036
Publication number (International publication number)：2003232749
Application date： Feb. 06, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：

【要約】【課題】様々な不純物濃度の半導体デバイスについて鮮明なパターン像を効率良く取得する。【解決手段】本発明の半導体デバイス故障解析装置1aは、波長可変の光を用いて半導体デバイス7を裏面側から落射照明し、反射光像を撮像する。異なる波長の照明光を用いて反射光像のコントラストを繰り返し測定し、反射光像のコントラストを最大にする波長を求める。この波長選択はコンピュータ4aが自動的に行う。コンピュータ4aは、この波長の照明光を用いて撮像装置3aに反射光像を撮像させ、撮像データを用いてパターン像データを生成する。反射光像のコントラストに基づいて最適な照明光波長を決定するので、鮮明なパターン像を取得できる。

Claim (excerpt)：

波長可変光源を有する落射照明手段と、前記落射照明手段による照明下で半導体デバイスの反射光像を撮像するとともに、半導体デバイスの異常箇所から発する異常光の像を無照明下で撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された反射光像のコントラストを測定する画像解析手段と、照明光の波長を変えながら前記反射光像のコントラストを自動的に繰り返し測定するように前記落射照明手段、前記撮像手段、および前記画像解析手段を制御する制御手段と、様々な波長の照明光に対する前記反射光像のコントラストから、前記反射光像のコントラストを最大にする最適波長を求める波長決定手段と、前記最適波長の照明光を用いて撮像された反射光像と前記異常光の像とをそれぞれ左右反転させて重ね合わせた画像のデータを生成する画像生成手段と、を備える半導体デバイス故障解析装置。

IPC (2)：

G01N 21/956 , H01L 21/66

FI (2)：

G01N 21/956 A , H01L 21/66 J

F-Term (27)：

2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051AB06 , 2G051BA04 , 2G051BA08 , 2G051BB07 , 2G051BB15 , 2G051BB17 , 2G051BC01 , 2G051CA03 , 2G051CA04 , 2G051CB01 , 2G051DA07 , 2G051EA12 , 2G051EA14 , 2G051EA25 , 2G051EB01 , 2G051EB02 , 2G051EC02 , 2G051FA10 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106DB04 , 4M106DB19 , 4M106DB20 , 4M106DJ04 , 4M106DJ23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体デバイス検査システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-272519 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
特開昭51-093665
特開昭57-206045

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