赤外線検知器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：眞鍋潔 , 柏谷昭司 , 渡邊弘一 , 伊藤壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005008314
Publication number (International publication number)：2006196788
Application date： Jan. 14, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】赤外線検知器に関し、2 つの波長に対して独立に感度を有し、しかも、必要とされる電極が2つである赤外線検知器を実現しようとする。【解決手段】活性層が、第1の半導体層2と、第1の半導体層2上に形成され且つキャリアに対するエネルギーが第1の半導体層2と比較して小さい第2の半導体からなる第1の量子箱3Aを含む量子箱層3と、量子箱層3の上に形成され且つキャリアに対するエネルギーが第1の半導体層2に比較して小さく第2の半導体に比較して大きい第3の半導体層4と、第3の半導体層4上に形成され、且つ、キャリアに対するエネルギーが第3の半導体層4に比較して小さい第4の半導体からなる第2の量子箱5Aを含む量子箱層5と、量子箱層5の上に形成され且つキャリアに対するエネルギーが第3の半導体層4に比較して大きい第5の半導体層6とを積層した構造からなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された少なくとも第1のコンタクト層、光吸収部分となる活性層、第2のコンタクト層で構成される赤外線検知器に於いて、該活性層が、第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成され且つキャリアに対するエネルギーが第1の半導体層と比較して小さい第2の半導体からなる第1の量子箱を含む量子箱層と、第1の量子箱を含む量子箱層の上に形成され且つキャリアに対するエネルギーが第1の半導体層に比較して小さく第2の半導体に比較して大きい第3の半導体層と、第3の半導体層上に形成され、且つ、キャリアに対するエネルギーが第3の半導体層に比較して小さい第4の半導体からなる第2の量子箱を含む量子箱層と、第2の量子箱を含む量子箱層の上に形成され且つキャリアに対するエネルギーが第3の半導体層に比較して大きい第5の半導体層とを積層した構造、或いは、その積層した構造を繰り返して積層した構造からなることを特徴とする赤外線検知器。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 D

F-Term (8)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049PA03 , 5F049QA07 , 5F049QA08 , 5F049QA16 , 5F049WA01 , 5F049WA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

多重量子井戸型赤外光センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-372154 Applicant：富士通株式会社

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