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J-GLOBAL ID：200903058024561457

配線形成方法

Inventor：
相沢 一雄

About 相沢 一雄


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996028267
Publication number (International publication number)：1997223736
Application date： Feb. 15, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】【課題】 アスペクト比が1以上の接続孔を生産性良く、かつ安定してAl系材料で埋め込むことのできる配線形成方法を提供する。【解決手段】 Si基板20上の絶縁膜21に開口したコンタクトホール22の底部および側壁部をTi膜23とTiN膜24からなるバリアメタル25で被覆する際、温度150°C以下のスパッタを用いてTiN膜24を形成すると、表面に少なくとも10nm以上の凹凸が形成され、TiN膜24の表面ラフネスが大きくなる。その後、コンタクトホール22内をAlSiCu膜26で埋め込んで配線を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上の絶縁膜に開口した接続孔の底部および側壁部を高融点金属と高融点金属の窒化物からなるバリアメタルで被覆した後、前記接続孔内をアルミニウム系合金で埋め込んで配線を形成する方法において、前記バリアメタルの表面ラフネスが大きくなるようにバリアメタルを形成した後、前記アルミニウム系合金の埋め込みを行うことを特徴とする配線形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285
FI (3)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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