二次元画像検出器の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999158881
Publication number (International publication number)：2000188386
Application date： Jun. 07, 1999
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】対向基板とアクティブマトリクス基板とを異方性導電性接着剤で貼り合わせた構造の二次元画像検出器において、対向基板に形成する突起電極の表面高さを均一にする製造方法を提供する。【解決手段】光導電性を有する半導体層13がほぼ全面に形成された対向基板2の貼り合わせ面のほぼ全面に開口部17を有するマスク18を形成する。次に、このマスク18上に研削粒子19を吹き付けて、半導体層13まで削り込むようにして溝20を形成する。その後、マスク18を除去することで、表面高さが均一な突起電極21を得ることができる。

Claim (excerpt)：

格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアクティブマトリクス基板と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを含む対向基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前記対向基板の半導体層とが対向して両基板が配置されるように、前記両基板を導電性材料で電気的に接続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記対向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数の突起電極を形成することを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/146 , G02F 1/1368 , H01L 21/304 601 , H01L 31/09 , H01L 31/10

FI (5)：

H01L 27/14 F , H01L 21/304 601 S , G02F 1/136 500 , H01L 31/00 A , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-179301 Applicant：富士通株式会社
X線撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-133316 Applicant：松下電器産業株式会社
放射線検出器および画像信号処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-217306 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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