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J-GLOBAL ID:200903058105651752
強誘電体キャパシタ及び半導体集積回路
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998181083
Publication number (International publication number):2000022090
Application date: Jun. 26, 1998
Publication date: Jan. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタの信頼性の向上を図る。【解決手段】 上部電極14Aを形成するのに酸化膜マスク16Aを用い、上部電極14A形成後もこの酸化膜マスク16Aをそのまま残存させる。また、下部電極10A及び強誘電体膜12Aを形成するのに酸化膜マスク22A及びフォトレジストマスク24を用い、下部電極10A形成後もこの酸化膜マスク22Aをそのまま残存させる。これにより、下部電極10Aと上部電極14Aとが残さによりショートするのを防止し、強誘電体キャパシタの信頼性の向上を図ることができる。
Claim (excerpt):
下部電極と、この下部電極上に形成された強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成され、かつ、この強誘電体膜よりも小さい面積の上部電極と、前記上部電極上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と前記上部電極とを覆うように、前記第1絶縁膜上と前記強誘電体膜上とに形成された第2絶縁膜と、を備えることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (6):
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (3):
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
F-Term (30):
5F001AA17
, 5F001AD12
, 5F001AD60
, 5F001AG09
, 5F001AG10
, 5F001AG29
, 5F001AG30
, 5F083AD21
, 5F083AD48
, 5F083AD49
, 5F083FR02
, 5F083GA27
, 5F083GA28
, 5F083JA13
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR03
, 5F083PR05
, 5F083PR07
, 5F083PR33
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-144273
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-002835
Applicant:松下電子工業株式会社
Cited by examiner (2)
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-144273
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-002835
Applicant:松下電子工業株式会社
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