半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997002835
Publication number (International publication number)：1997266200
Application date： Jan. 10, 1997
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の一部を構成する強誘電体や白金の微細加工を容易に実現できるようにする。【解決手段】半導体基板1の上にデバイス絶縁膜2を形成し、その上に下層白金膜3、強誘電体膜4、上層白金膜5及びチタン膜6を順次形成し、更にその上に所望のパターンのフォトレジストマスク7を形成する。この際、チタン膜6の厚さを、上層白金膜5と強誘電体膜4と下層白金膜3とからなる積層膜の厚さの合計の十分の一以上に設定する。次に、ドライエッチング法でチタン膜6をエッチングし、フォトレジストマスク7を灰化処理により除去する。このようにしてパターン化されたチタン膜6をマスクとし、かつ酸素ガスの体積濃度を40%に設定した塩素と酸素との混合ガスのプラズマを用いたドライエッチング法により、3層の積層膜3〜5をエッチングする。更に、塩素ガスのプラズマを用いたドライエッチング法でチタン膜6を除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に、強誘電体、高誘電率材料及び白金のうちの少なくとも1つからなるエッチング対象膜を形成する工程と、前記エッチング対象膜の上に、酸化しやすい金属からなるパターン化されたマスクを形成する工程と、酸化性とハロゲン化性とを有するガスプラズマで前記エッチング対象膜を選択的にエッチングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/302 J , C23F 4/00 A , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Pt膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-175364 Applicant：シャープ株式会社

Return to Previous Page