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J-GLOBAL ID：200903058154027860

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor：
木藤 泰男

About 木藤 泰男


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996026999
Publication number (International publication number)：1997221397
Application date： Feb. 14, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】【課題】大口径かつマイクロパイプ欠陥の無い炭化珪素単結晶を効率よく、低コストで大量に製造する。【解決手段】(110)面方位のシリコンウエハ14の上に化学的気相成長法により(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を成長させる。フッ酸と硝酸の混液を用いて(110)面方位のシリコンウエハ14を除去し、(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を接着剤16により結晶成長装置の蓋材4bに接合して(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を蓋材4bに固定する。この蓋材4bを単結晶成長装置に装着して昇華再結晶法により(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15を種として(110)面立方晶炭化珪素単結晶層15に(112* 0)面α型炭化珪素単結晶19を成長させる。
Claim (excerpt)：
珪素単結晶基板の上に種である立方晶炭化珪素単結晶層を成長させる第1の成長工程と、前記珪素単結晶基板を除去する除去工程と、黒鉛製ルツボ内において炭化珪素原料粉末を不活性ガスの雰囲気中で加熱昇華させ、この炭化珪素原料粉末よりやや低温状態にある前記立方晶炭化珪素単結晶層上にα型炭化珪素単結晶を成長させる第2の成長工程と、を具備する炭化珪素単結晶の製造方法において、前述第1の成長工程における前記珪素単結晶基板の面方位が略(111)面と垂直な面であり、前記立方晶炭化珪素単結晶層の面方位が略(111)面と垂直な面であることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (5)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/68
FI (5)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/68
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開昭60-145992
  • 特開昭63-139096
  • 炭化珪素単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-141456   Applicant：株式会社豊田中央研究所

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