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J-GLOBAL ID：200903058198565893

電界効果トランジスタ

Inventor： 酒井 良正 ,  荒牧 晋司 ,  水口 仁
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004158834
Publication number (International publication number)：2005033185
Application date： May. 28, 2004
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】 特定複素環化合物をn型半導体とする電界効果トランジスタを提供する事が可能となる。【解決手段】 分子量が2000以下の下記一般式(I)で表される化合物を用いた電界効果トランジスタ。(式中、Q及びRはそれぞれ独立して置換されていても良い芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、Q及びRはそれぞれ連結基と一緒になって形成している環A及びBは5員環又は6員環である。XはOまたはS原子を表す。)【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

分子量が2000以下の下記一般式(I)で表される化合物を用いた電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L51/00 ,  C07D471/22 ,  H01L29/786 ,  H01L29/80

FI (4)：

H01L29/28 ,  C07D471/22 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/80 V

F-Term (66)：

4C065AA03 ,  4C065AA18 ,  4C065AA19 ,  4C065BB05 ,  4C065CC01 ,  4C065DD04 ,  4C065EE04 ,  4C065HH01 ,  4C065JJ04 ,  4C065KK01 ,  4C065LL02 ,  4C065PP01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL01 ,  5F102GT02 ,  5F102HC11 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭61-202469号公報
  
• 特許2984370号公報
  
• N-チャネル半導体材料を含むデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-090013   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

Cited by examiner (2)

• 特開平3-008375
  
• 保護層を含有する有機発光デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-529080   Applicant：ザトラスティーズオブプリンストンユニバーシテイ, ザユニバーシティーオブサザンカリフォルニア