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J-GLOBAL ID：200903058226434180

電界効果型トランジスタ

Inventor： 金原 滋 ,  大澤 利幸
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993187318
Publication number (International publication number)：1995086600
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高分子半導体として、熱または光等の物理的外部刺激によって高分子の状態が変化することのできる新規な高分子半導体の提供。【構成】 高分子半導体をチャネル層とする電界効果型トランジスタにおいて、該高分子半導体が、次式(I)、(II)、(III)および(IV)よりなる群から選ばれた少なくとも1種のπ電子共役系骨格を有する高分子半導体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【化1】

Claim (excerpt)：

高分子半導体をチャネル層とする電界効果型トランジスタにおいて、該高分子半導体が、次式(I)、(II)、(III)および(IV)よりなる群から選ばれた少なくとも1種のπ電子共役系骨格を有する高分子半導体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【化1】(式中、XはNH、あるいはS、O、Se、TeおよびPoよりなる酸素族の元素から選ばれた少なくとも1種の元素である。R1、R2の少なくとも一方は、アルキル基または有機溶媒に可溶性化基であり、また、R1およびR2のどちらかには、物理的外部刺激により異性化反応を起こす基を有する。nは、重合度5〜2000である。)

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (2)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 有機電界効果型素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205286   Applicant：株式会社東芝