不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996025312
Publication number (International publication number)：1997219459
Application date： Feb. 13, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】2層ゲート構造のゲート電極間の層間絶縁膜にバーズビークが発生することを抑制し、微細化を可能とし、層間絶縁膜の絶縁性を向上する。【解決手段】半導体基板1上の絶縁膜3上に形成された第1のゲート電極4と、この第1のゲート電極4上の層間絶縁膜10と、この層間絶縁膜10上に形成された第2のゲート電極5とを具備し、層間絶縁膜10が酸化膜層と窒化膜層とが交互に積層された複数の絶縁膜層12〜16により構成され、この絶縁膜層のうち第1のゲート電極4および第2のゲート電極5に接触する絶縁膜層12および16がそれぞれ窒化膜層により構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、この第1のゲート電極上の層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを具備する不揮発性半導体記憶装置において、前記層間絶縁膜が酸化膜層と窒化膜層とが交互に積層された複数の絶縁膜層により構成され、この絶縁膜層のうち前記第1および第2のゲート電極に接触する絶縁膜層がそれぞれ窒化膜層により構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-237959 Applicant：日本鋼管株式会社
不揮発性半導体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-041450 Applicant：株式会社東芝
特開平3-159166

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